GB/T 42968.9-2025《集成电路 电磁抗扰度测量 第9部分：辐射抗扰度测量 表面扫描法》标准指南

GB/T 42968.9-2025《集成电路 电磁抗扰度测量 第9部分：辐射抗扰度测量 表面扫描法》标准指南

一、标准的基本信息

1. 标准标识与命名：GB/T 42968.9-2025，中文全称为《集成电路 电磁抗扰度测量 第9部分：辐射抗扰度测量 表面扫描法》，英文对应名称为 Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunity—Part 9: Measurement of radiated immunity—Surface scan method。

2. 发布与实施：2025年12月2日由国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会联合批准发布，同日实施，标准状态为现行。 主管部门与归口部门均为工业和信息化部（电子），具体由TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口并执行。中国标准分类号L56，国际标准分类号ICS 31.200。

3. 采标与起草：本标准等同采用IEC TS 62132-9:2014（IDT）。起草阵容堪称豪华——中国电子技术标准化研究院领衔，联合扬芯科技、北京智芯微电子、工信部电子五所、上海电器设备检测所、华东师范大学、北京航空航天大学、中国汽车工程研究院等二十余家产学研机构共同完成。 主要起草人包括付君、程江河、陈梅双、崔强、杨红波等二十六位专家。

二、标准内容

1. 核心测量原理：标准聚焦于近场扫描技术——通过微型近场探头（电场探头或磁场探头）在集成电路表面上方进行精密网格化扫描，逐点捕获近电场、近磁场或近电磁场分量对芯片内部电路的耦合效应。探头定位与数据采集系统协同工作，将空间电磁分布转化为可视化的抗扰度图谱。

2. 试验架构与设备要求：规范了屏蔽环境、射频干扰发生器、专用电缆、近场探头及其校准方法、DUT（被测器件）监控系统的配置要求。附录A详述近场探头校准，附录B区分电场探头与磁场探头的适用场景，附录C定义了扫描坐标系。试验条件涵盖电源电压、频率范围等关键参数，试验配置则对电路板布局、探头高度、扫描步进等细节作出约束。

3. 试验程序与报告规范：操作流程分为操作检查与正式抗扰度试验两阶段。试验报告须完整记录测试条件、探头设计与校准数据、原始实验数据、后处理方法及数据交换格式，确保测试结果的可复现性与跨实验室可比性。

三、标准应用场景

1. 芯片级电磁脆弱点诊断：在5G通信、毫米波雷达、高速SerDes接口等高频领域，芯片内部时钟频率飙升，电磁耦合路径愈发隐蔽。表面扫描法如同一台"电磁显微镜"，能够精准定位芯片表面电磁敏感区域，为版图优化、电源分配网络（PDN）改进提供量化依据。

2. 汽车电子与工业控制的安全加固：自动驾驶域控制器、电机驱动芯片、工业PLC等安全关键器件，对电磁鲁棒性要求近乎苛刻。借助本标准，工程师可在芯片封装阶段即完成辐射抗扰度摸底，从源头提升系统级EMC裕量，避免后期整板整改的巨额成本。

3. 先进封装与三维集成的电磁管控：在系统级封装（SiP）、芯片堆叠（3D IC）等高密度集成形态中，芯片间距压缩至微米量级，电磁串扰呈指数级增长。表面扫描法突破传统远场测试的空间分辨率瓶颈，可对微凸点、硅通孔（TSV）、再布线层（RDL）等细微结构进行近场电磁画像，成为先进封装可靠性验证的必备手段。

四、总结

1. 填补国内芯片近场抗扰度测试空白：GB/T 42968.9-2025的发布，标志着我国在集成电路电磁兼容（IC-EMC）领域拥有了与国际接轨的近场扫描测试规范。等同采用IEC TS 62132-9:2014，既保证了技术先进性，又便于国内企业参与全球供应链互认。

2. 产学研深度融合的典范：从标准起草单位的构成可见，本标准凝聚了检测认证机构、芯片设计企业、高校科研院所、整车厂商等多方智慧，具备极强的产业落地能力。其"发布即实施"的节奏，亦反映出行业对芯片电磁抗扰度测试的迫切需求。

3. 面向未来的技术底座：随着人工智能芯片、车规级MCU、射频前端模组等产品对EMC性能的要求持续攀升，表面扫描法将从实验室走向产线，成为芯片设计验证、失效分析、质量筛选的常规武器，为我国集成电路产业的高质量发展筑牢电磁安全防线。